پایان نامه آلودگی کبد حیوانات اهلی به فاسیولا هپاتیکا و فاسیولا ژیگانتیکا تقریبا 60 صفحه

ادبیات منسجم در مورد آلودگی کبد حیوانات­اهلی به فاسیولا هپاتیکا[1] و فاسیولا ژیگانتیکا[2]

تقریبا 60 صفحه

به همراه عکس

قیمت 10 هزار تومان

جیمیل:  [e-mail]

        فاسیولاهپاتیکا میلی­متر طول و حداکثر عرض آن در ناحیه­ی  شانه­ها، 13میلی متر است. رنگ آن خاکستری مایل به قهوه­ای است ولی پس از ثابت شدن در الکل به رنگ خاکستری در می­آید و از نظر ظاهری شبیه برگ می­باشد. انتهای قدامی­اش واجد یک برآمدگی به نام مخروط رأسی1 است که بعد از آن ناگهان بدن پهن شده و قسمتی به نام شانه را به وجود می­آورد. بادکش شکمی در امتداد شانه قراردارد و به بزرگی بادکش دهانی است. لوله­ی گوارش آن شامل دهان، حلق، مری و روده­ی کور منشعب است که انشعابات آن سطح داخلی بدن را پوشانده است. تگومنت آن به­ویژه درکرم­های جوان پوشیده ازخاراست. بیضه­های انگل شاخه شاخه بوده و در حدود4/3-2/1 فضای میانی بدن را اشغال کرده­اند. سیریا اندام تناسلی نر این انگل با پروستات و وزیکول اسپرم در کیسه­ی سیر قرار­دارد و رشد زیادی کرده است. تخمدان آن در طرف چپ کرم جلوی بیضه­ها قرار گرفته ومنشعب می­باشد غدد وتیلوژن از وزیکول­های ظریفی تشکیل شده و طرفین کرم تا انتهای خلفی را م­ پوشانند. ترشحات این غدد توسط دو مجرای عرضی به مخزن غدد زرده که در وسط کرم قرار گرفته است، می­ریزند. از مخزن اخیر، لوله ای ترشحات را به درون  ئوئوتیپ وارد می­کند. رحم  انگل لوله مار پیچی است که درجلو بیضه­ها قراردارد و درون آن مملو ازتخم است. تخم­ها به رنگ زرد روشن، به ابعاد150- 130 میکرون در 90-63 میکرون ودر یکی از دو قطب دارای درپوش هستند. میراسیدیوم در محیط خارج درون تخم تشکیل می­شود

- فاسیولا ژیگانتیکا

        سیرتکاملی آن مانند فاسیولا هپاتیکا است، ولی میزبان­های واسط آن متنوع­تر و عمدتاً آبزی هستند و مدت زمان لازم برای بلوغ کرم طولانی­تر است. در 26 درجه­ی سانتی­گراد، در عرض 17 روز میراسیدیوم در داخل تخم به وجود می­آید. در شرق آفریقا در فصول گرم، 75 روز طول می­کشد تا سرکر در داخل حلزون به وجود­آید. در فصل سرما این مدت طولانی­تر بوده و ممکن است تا 175 روز به طول انجامد. دینیک و دینیک سیرتکاملی این فاسیولا در بدن حلزون را مورد بررسی قرارداده­اند. مطالعات انجام شده نشان داد که در 26 درجه سانتی گراد، ممکن است از یک اسپوروسیست یک تا شش نسل اولیه ردی تولید شود و از هر ردی، ردی­های دختر و سپس سرکر به وجود­آیند. متاسرکرها در گیاهان زیر سطح آب، مانند ساقه برنج در شالیزارها کیسه­دار می­شوند این متاسرکرها ممکن است تا چهار ماه زنده بمانند. در شالیزارها حیوانات در اثر خوردن کلش برنج به انگل مبتلامی­شوند. ادامه سیرتکاملی در میزبان نهائی شبیه فاسیولا هپاتیکا ولی طولانی­تراست. پس از آلودگی نه تا دوازده هفته برای عبور نوزاد از پارانشیم کبد و رسیدن به مجاری صفرا لازم است. مدت زمان لازم برای ظهور تخم در مدفوع 16-13هفته است 

---

1 . Fasciola hepatica.

2 . Fasciola gigantic.

3.Fasciolidosis.

 

 

monoethanolamine solution using nanoporous membrane contactors شبیه سازی ریاضی مونواتانول نانومتخلخل

ترجمه آماده مقاله

" Mathematical modeling and simulation of CO2 stripping from monoethanolamine solution using nano porous membrane contactors"

"شبیه سازی و مدل سازی ریاضی زدودن CO2 از محلول مونو اتانول امین با استفاده از کنتاکتورهای غشای نانومتخلخل"

مجله و سال

International Journal of Greenhouse Gas Control 2013

کلمات کلیدی

Membranes

Mathematical modeling

Mass transfer

CFD

Simulation

جیمیل:

 [e-mail]

قیمت مقطوع 5 هزار تومان

با تشکر از اینکه این ترجمه ها را در اینترنت انتشار نمی دهید.

لینک دانلود مقاله

A novel model based on the finite element analysis by COMSOL software is built to simulate the flow and

concentration in a membrane contactor for stripping of CO2 at high operating temperature. A CFD model

was developed by solving the 2D Navier–Stokes equations as well as mass conservation equations for

steady-state conditions in polymeric membrane contactors. The model prognosticates the velocity fields

and the concentration of CO2 along the membrane under laminar flow regime. The membrane contactor

was divided into three compartments, i.e. tube, shell and microporous membrane. The model findings for

the stripping of CO2 using the membrane contactor were compared with the experimental data in order

to validate the proposed mass transfer model and showed great agreement. Moreover, the simulation

results showed that mass transfer resistance of gas phase has a minor effect on the CO2 stripping flux.

Increasing temperature and liquid phase velocity cause enhancement of CO2 stripping flux.

In recent years, the restriction of greenhouse gases emissions to

the environment has become a main issue in industrial processes

(Medina-Gonzalez et al., 2012; Porcheron and Drozdz, 2009). CO2

has been recognized as the most important greenhouse gas which

is released mostly by industrial activities. Absorption of CO2 into

amine solutions has been used as the most effective method for capture

of CO2. Back-absorption (stripping) of CO2 from amine solvents

is a major section of absorption–stripping process. The traditional

separation process for removal of CO2 from gas mixtures usually

takes place in two separated contacting columns; the first for CO2

absorption and the second for CO2 back-absorption or stripping.

These two units together form the CO2 removal plant. In fact, amine

absorption system, for example Petronas Fertilizer Co. in Malaysia

and Sleipner project in Norway are the most current CO2 capture

plants. Therefore, amine absorption of CO2 has been attracted a

lot of in-depth research (Chang and Shih, 2005; Koonaphapdeelert

et al., 2009).

شبیه سازی و مدل سازی ریاضی زدودن CO2 از محلول مونو اتانول امین با استفاده از کنتاکتورهای غشای نانومتخلخل

چکیده

به منظور شبیه سازی جریان و غلظت در یک کنتاکتور غشایی برای زدودن CO2 در دمای عملیاتی بالا، مدل جدید برپایه آنالیز عناصر محدود که به وسیله ی نرم افزار COMSOL ساخته شده است. با حل معادلات 2 بعدی Navier–Stokes و همچنین معادلات بقای جرم مدل CFD برای شرایط حالت پایدار در کنتاکتورهای غشای پلیمری، توسعه داده شد. مدل زمینه های سرعت و غلظت CO2 در امتداد غشاء تحت رژیم جریان باریک پیش بیننی می کند. کنتاکتورهای غشایی به سه محفظه تقسیم می شوند: تیوپ، پوسته وغشای میکرومتخلخل . یافته های مدل برای زدودن CO2 با استفاده از کنتاکتورهای غشایی با داده های تجربی و آزمایشی مقایسه شد تا به مدل انقتال جرم پیشنهاد شده اعتبار بخشیده و توافقات زیادی را نشان دهد. علاوه بر این، شبیه سازی نتایج نشان داد که مقاومت انتقال جرم فاز گازی اثری جزئی بر روی جریان زدودن CO2 دارد. افزایش دما و سرعت فاز مایع باعث افزایش جریان زدودن CO2 می شود.

1-     مقدمه

در سال های اخیر، محدود ساختن انتشار گازهای گلخانه ای به محیط زیست به یک موضوع اصلی در فرایندهای صنعتی تبدیل شده است (Medina-Gonzalez و همکارانش 2012، Porcheron و Drozdz 2009). CO2 بعنوان مهم ترین گاز گلخانه ای شناخته شده است که عمدتا توسط فعالیت های صنعتی منتشر می شود. جذب CO2 در محلول  آمین بعنوان موثرترین روش گرفتن و تسخیر CO2  به کار برده می شود. بازگرداندن جذب (زدودن) CO2 از محلول آمین بخش عمده ای از فرایند جذب- زدودن است. فرایند جداسازی و تفکیک سنتی به منظور حذف CO2 از مخلوط های گازی معمولا در دو ستون بدون تماس جداگانه انجام میگیرد، نخست برای جذب CO2 و سپس برای بازگرداندن جذب (زدودن) CO2. این دو واحد با یکدیگر نیروگاه (کارخانه) حذف کردن CO2 را تشکیل می دهند. در واقع، سیستم جذب آمین، برای مثال شرکت Petronas Fertilizer در مالزی و پروژه Sleipner در نروژ نیروگاه های کنونی بیشترین گرفتن و تسخیر CO2 هستند. از این رو، جذب CO2 توجه تحقیقات عمیق زیادی را به خود جلب کرده است  (Chang و Shih 2005، Koonaphapdeelert و همکارانش 2009)

اثر دمای تغذیه بر روی جریان دفع CO2 در شکل 8 نشان داده شده است. همان طور که در شکل می توان دید، جریان و شار زدودن CO2 با افزایش دمای عملیاتی در کنتاکتور غشا، افزایش می یابد. دما بر روی پارامترهای شیمیای و فیزیکی مثل فشار جزئی تعادل CO2 ، ثبات تعادلی واکنش شیمیایی، و ضریب انتشار تاثیر دارد. افزایش دما، به صورت تصاعدی موجب افزایش فشار جزئی تعادلی CO2 می گردد (معادله 16). در نتیجه، ثبات تعادل به خاطر افزایش فشار جزئی تعادلی CO2 ، کاهش می یابد.  مورد آخر اثبات می کند که افزایش دمای عملیاتی موجب افزایش در نیروی محرک به منظور زدودن CO2 از محلول MEA می گردد(Khaisri و همکارانش، 2011).

 

Preparation spherical hollow alumina particles thermal plasma آلومنینوم توخالی کروی پلاسمای حرارتی

ترجمه مقاله لاتین آماده

Preparation of spherical hollow alumina particles by thermal plasma

آماده سازی ذرات آلومینوم توخالی کروی بوسیله ی پلاسمای حرارتی

مجله و سال انتشار

Thin Solid Films 2013

کلمات کلیدی

Thermal plasma

Hollow particle

Spherical shape

Alumina

 قیمت مقطوع 3 هزار تومان

جیمیل:

 [e-mail]

لینک دانلود اصل مقاله 

فعالیت های تحقیقاتی در مورد پودرهای سرامیک ساختار توخالی با توجه به زمینه های مختلف کاربردی آنها همچون پوشش اسپری پلاسمایی، پشتیبانی کاتالیزور، و مواد عایق برای جذب گرما و صدا، افزایش یافته است.  به منظور سنتز پودرهای سرامیک توخالی، روش های بسیاری  از جمله فرایند سل – ژل و تجزیه در اثر حرات اسپری ، گزارش شده است. بهرحال، این روشهای مرطوب  دارای معایبی از تولید آب فاضلاب و خلوص نسبتا کم در مقایسه با روش های خشک می باشد. در میان روش های خشک، فرآیندها و پردازش های پلاسمای حرارتی ، مزایای منحصر به فردی را از نرخ رفع کردن سریع، خلوص بالا و سرعت عملکرد بالا را فراهم می آورد. پیش از این کره  های آلومینای توخالی بوسیله ی پلاسمای حرارتی  گزارش شده بود.

بعلاوه،  پوشش اسپری پلاسما با استفاده از ذرات توخالی تهیه شده و پودر خام تجاری در شرایط عملیاتی یکسان انجام م یشود. انتظار می رود که غشاهای پوششی یافته تهیه شده با استفاده از ذرات آلومینیای توخالی احتمالا برای مقاومت پوششی و منطقه عایقی به کار برده شود.  سودمندی  ذرات آلومینیای توخالی از ارزیابی تطبیقی بر روی لایه های پوشش یافته مشخص می شود. غشا و لایه فراهم شده با استفاده از ذرات توخالی  چگالی بالاتر و تخلخل پایین تری را نشان می دهد.

پوشش اسپری پلاسما برای مقایسه ویژگی های لایه پوششی بین ذره توخالی آماده شده و پودرهای خام تجاری انجام می شود. در فرآیند اسپری پلاسما، تمامی پارامترهای عملیاتی ثابت هستند. مخلوط گاز هیدروژن و ارگون بعنوان یک تخلیه گر گازی برای افزایش انتقال حرارتی به کار برده می شود

بعلاوه در این مورد از استفاده از پودرهای آلومینیای آماده شده، لایه پوششی اسپری ضخیمت تر بود، بنابراین، انتظار می رود که کاربرد پودرهای آماده شده برای پوشش اسپری حرارتی امیدوار کننده باشد.

The research activity regarding hollow structured ceramic

powders has been increased due to their various application fields

such as plasma sprayed coating, catalyst supports, and insulating

materials for heat and sound absorption [1–5]. In order to synthesize

the hollow ceramic powders, many methods have been reported

including sol–gel process and spray pyrolysis [6–11]. However,

those wet methods have disadvantages of waste water generation

and relatively low purity compared with a dry method. Among dry

methods, thermal plasma processing provides unique advantages of

rapid quenching rate, high purity, and high yield rate. Previously

hollow alumina microspheres had been prepared by RF thermal

plasma [12].

On the other hand, DC arc plasma jet was used to prepare the

hollow particle in the present work, because it is evaluated that RF

thermal plasma requires more expensive and complex system than

DC arc thermal plasma [13]. Alumina powder which has severely

high melting temperature was used as the raw material. The hollow

structure of the prepared particle was identified by the scanning electron

microscopy with focused ion beam (FIB-SEM) and morphology

was evaluated by the field emission Scanning Electron Microscopy

(FE-SEM). In addition, plasma spray coating was carried out using

the prepared hollow particles and the commercial raw powder at

the same operating condition. It is expected that the coated film prepared

using the hollow alumina particles may be applied to the wearresistant

and insulating area. The usefulness of the hollow alumina

particle was clarified from the comparative evaluation on coated

layers. The film prepared using the hollow particles showed higher

density and lower porosity. 

"Synthesis and characterization of Al2O3 hollow spheres" سنتز و شناسایی کره های توخالی

ترجمه آماده مقاله لاتین

"Synthesis and characterization of Al2O3 hollow spheres"

مجله و سال انتشار

Materials Letters 2008

کلمات کلیدی

Al2O3 hollow spheres; Synthesis; Characterization; Sol–gel preparation; Microstructure

قیمت مقطوع 3 هزار تومان

جیمیل:

 [e-mail]

لینک مستقیم دانلود اصل مقاله لاتین 

در سال های اخیر، ذرات نانو توخالی به دلیل اهمیت آنها در زمینه های مختلف علم و فن آوری، همچون برچسب های بیولوژیکی، رزونانس های نوری، تجزیه و کاتالیست، مغناطیس، سرامیک و رنگدانه، دارای جذابیت و منافع بسیاری شده اند. با ایجاد پوسته در محیط مناسب، نانو ذرات پوسته هسته را می توان برای برخی نیازهای خاص و ویژه تولید کرد.  علاوه براین، یک توسعه و گسترش با اهمیت داز ذرات پوسته-هسته،  حذف متعاقب هسته بوسیله ی انحلال می باشد. تجزیه و روش های دیگر برای تولید پوسته های توخالی می باشد.

روش های متعددی از تولید ذرات نانو پوسته – هسته ، همچون یک آبکاری الکترولس (بدون الکترون)، بارش، رسوب سونوشیمیایی، می سل های معکوس، سل-ژل، و تکنیک لایه به لایه، در مقالات گزارش شده است. به طور کلی، این روش ها را می توان به چهار دسته تقسیم نمود. واکنش های سطحی، بارش سطحی، انعقاد بارش گوناگون و تکنیک لایه به لایه.

Abstract

This paper presents a novel technique to create Al2O3 hollow spherical nanoparticles. It used Al(OH)3 which was synthesized with Al2(SO4)3

and NaOH, and the C-Al(OH)3 core-shell nanoparticle as intermediate phases. The Al2O3 hollow spheres were achieved by the calcination of the

carbon cores and the dehydration of Al(OH)3. The chemical composition, morphology, size and superficial crystal structure of the nanoparticles

were characterized with TEM, XRD, TGA, FTIR and BET. The result shows that the average diameter of the C-Al(OH)3 core-shell nanoparticles

is about 25 nm, the thickness of the Al2O3 shell is about 5 nm and the surface area is 215.2 m2/g. The procedure for the formation of Al2O3 hollow

nanoparticles is discussed in details.

© 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

In recently years, hollow nanoparticles are attracting more

and more interests due to their importance in various fields of

science and technology, such as biological labels, optical

resonances, catalysis, magnetics, ceramics, and pigments. By

building up shells on the suitable medium, the core-shell

nanoparticles can be generated to meet some special requirements.

Furthermore, an important extension of core-shell

particles is the subsequent removal of the core by dissolution,

decomposition and other method to produce hollow shells [1].

Variousmethods of producing core-shell nanoparticles have been

reported in the literatures, such as electroless plating, precipitation,

sonochemical deposition, reverse micelles, sol–gel, and layer-bylayer

technique. Generally, these methods can be divided into four

categories: surface reaction, surface precipitation, precipitation

hetero-coagulation and the layer-by-layer technique [1–3].

Al2O3 was one of the materials studied very early for its

potential application as a radiation dose-meter owing to its

superior thermal and chemical stability and low effective atomic

number [4–6]. Since then, a great deal of efforts has been

directed towards the improvement of its sensitivity [7–9]. In this

paper, the core-shell C-Al(OH)3 nanoparticles were produced by

using sol–gel preparation of Al(OH)3 on the surface of carbon

cores. Subsequently, the Al2O3 shells were created by the

removal of the carbon cores and the decomposition of Al(OH)3.

The obtained Al2O3 was 20 wt.% of the carbon black, the

detailed structures of the hollow Al2O3 shell nanoparticles were

investigated [10,11].

Semianalytical thermal analysis on a Nd:YVO4 crystal تجزیه تحلیل حرارتی روی کریستال

ترجمه مقاله آماده 

Semianalytical thermal analysis on a Nd:YVO4 crystal

تجزیه تحلیل حرارتی بر روی کریستال Nd:YVO4 

به صورت  نیمه آنالیزی و نیمه تحلیلی

مجله و سال

Optical Society of America 2007

قیمت مقطوع 3 هزار تومان

لینک دانلود مستقیم مقاله لاتین  

یک کار کلیدی در آنالیز و حل کردن مشکل اثرات حرارتی ، محاسبه دقیق میدان درجه حرارتی و میدان انحراف حرارتی  در داخل کریستال لیزری می باشد. کریستال لیزری ناهمسانگرد همچون یک ایزوتروپیک در مطالعات نظری قبلی به منظور به دست آوردن راحت توزیع میدان دمایی در کریستال به کار برده می شد. با این وجود چنین رفتارهایی ممکن است یک خطای محاسباتی نسبتا بزرگی را ارائه و معرفی نماید. در این جا ما یک مدل فیزیکی تحلیلی حرارتی که با شرایط واقعی کریستال لیزری ناهمسانگرد منطبق است، ایجاد می کنیم. کارکرد ویژگی های یک کریستال لیزری  دیود پمپی مستطیل شکل، تجزیه تحلیل شده است. که با فویل ایندیوم نرم پیچیده شده و لبه ها سرد گشته است. براساس فرضیه تحلیل گرمایی به صورت نیمه تحلیلی، بهترین دانش ما، برای حل مسئله انتقال حرارتی، معادله ای از کریستال ناهمسانگرد منطبق شده است. یک راه حل عمومی و کلی از میدان دما در داخل کریستال و میدان انحراف حرارتی بر روی صورت  پمپ بدست آمده است. و فاکتورهای موثر از توزیع میدان انحراف گرمایی در کریستال به صورت کمی تحلیل شده است. نتایج این مقاله می تواند نظریه ای بر مینای حل مشکل اثرات حرارتی در کریستال لیزری را فراهم آورده و کارکردهای لیزر  را بهبود بخشد.

1-    روش محاسبه میدان انحرافی گرمایی در یک کریستال لیزری

هنگامی که یک میدان دما پایدار است، انحراف حرارتی در کریستال با توجه به گسترش گرما شکل می گیرد. که به شدت می تواند بر کیفیت لیزر تاثیر بگذارد. از آنجا که دو وجه انتهایی کریستال فرض شده است که در تماس با هوا باشد، و محیط کریستال فویل نرم داخلی باشد،  گسترش حرارت ازکریستال لیزر را می توان تقریبا تفکر کرد که آزاد می باشد.

راه حل زمینه گرمایی، میدان گرمایی بر مبنای صورت پمپ یک روش جدید برای حل معادله انتقال حرارت کریستال ناهمسانگرد ارائه کرد. تجزیه و تحلیل تئوری تفاوتی را بین نتیجه نظری این صفحه و نتیجه تجربی عکس 12 شناسایی می کند و اثر ناهمسانگرد پارامترهای حرارتی در زمینه کرنش حرارتی در کریستال تجزیه و تحلیل می کند.

Based on analytical theory of anisotropy, distributions of thermal distortion and temperature field within

a diode-end-pumped rectangular Nd:YVO4 laser crystal are investigated. A thermal model that matches

the actual working state of the laser crystal is established by analyzing the working characteristics of the

Nd:YVO4 laser crystal. A novel method, to the best of our knowledge, is adopted to solve the heat

conduction equation of the anisotropic medium. General solutions of the temperature field, thermal strain

field, and thermal distortion field of the Nd:YVO4 crystal are obtained. The effect of anisotropic thermal

parameters on the thermal strain field of the Nd:YVO4 laser crystal is also analyzed quantitatively.

Research results show that a maximum temperature rise of 244.9 °C and a maximum thermal distortion

of 1.99 m can be obtained in the center of the pump face when the Nd:YVO4 laser crystal doped with 0.5

at. % Nd3 is diode end pumped in the center of the front end face with 15 W output power. This method

can be applied to other thermal analyses of laser crystals and offers a theoretical basis to solve thermal

problems effectively in the laser system.

Diode-pumped solid-state lasers are compact, efficient,

and stable. Much research has been engaged in

the Nd:YVO4 crystal due to its excellent optical and

physical characteristics, and several kinds of laser

can be built based on the diode-pumped Nd:YVO4

crystal [1–3]. When pump light energy is absorbed by

a laser crystal, fluorescent light is produced, and

some of the pump light energy will be converted to

thermal energy; when the laser is in steady operation,

a stable field distribution of the temperature

gradient will be formed within the crystal, which can

cause thermal distortion on the end faces of the crystal.

Such a thermal effect can severely affect performances

of the diode-pumped Nd:YVO4 laser [4,5].

A key job in analyzing and solving the thermal

effect problem is to accurately calculate the temperature

field and thermal distortion field within the

laser crystal. The anisotropic laser crystal was treated as

an isotropic one in previous theoretical research in

order to conveniently obtain the distribution of the

temperature field within the crystal [6,7]. However,

such treatment may introduce a rather large calculation

error. Here we establish a thermal analytical

physics model that matches the actual conditions of

an anisotropic laser crystal. Working characteristics

of a diode-pumped rectangular Nd:YVO4 laser crystal

are analyzed, which is wrapped with soft indium foil

and edge cooled. On the basis of semianalytical thermal

analysis theory, a novel method, to the best of our

knowledge, is adopted to solve the heat conduction

equation of the anisotropic crystal. General solutions

of the temperature field within the crystal and the

thermal distortion field on the pump face are obtained,

and factors affecting the distribution of the

thermal distortion field in the crystal are analyzed

quantitatively. Results in this paper can provide a

theoretical basis for solving thermal effect problems

in the laser crystal and improve the performances of

the Nd:YVO4 laser.

2. Calculation Method of the Temperature Field in a

Laser Crystal

Experimental devices to diode end pump a laser crystal

include linear cavity [8] and folded cavity [9]. A

schematic of a Nd:YVO4KTP green laser with a

V-shaped folded cavity and three mirrors is shown in

Fig. 1.

ترجمه فصل های 4 و 5 "Ordered Porous Nanostructures and Applications"

ترجمه فصل های 4 و 5 "Ordered Porous Nanostructures and Applications"

هر فصل 10 هزار تومان

لینک دانلود

فصل 4

مشکل شدید تشکیل منافذ در نیم رساناهای گروه III–V در ساختارهای متخلخل همگن، نشان دهنده ی تمایل قوی هسته ناهمگن اولیه می باشد. تنها برخی تلاش ها برای آماده سازی ساختارهای متخلخل شبه یکنواخت در مواد گروه III–V تاکنون انجام شده است. همان گونه که در بالا ذکر شد، تاکیزاوا و همکاران اش یک ساختار متخلخل ستون مانند را بر روی جهت (111)A InP با استفاده از لیتوگرافی پرتوافکنی ساختند، اما ساختار به دست آمده تاکنون همچون آنهایی که بوسیله ی لیتوگرافی Si بدست آمدند، یکسان نبود. اخیراً تیگینیانو و همکارانش نشان دادند که قرار دادن 5 MeV Kr+ در بستر های n-GaP به ما اجازه می دهد تا تراکم نقص سطحی را و در نتیجه هسته را صرف نظر از مقدار اولیه اندازه گیری شده در رشد کریستال، را کنترل کنیم.

4-1-2 چرا تخلخل مواد گروه III–V

اگرچه تعداد انتشاراتی که به ترکیبات گروه III–V اختصاص داده شده از آنچه به تخلخل Si است، کمتر است، اخیرا برخی ویژگی ها و خواص مهم از ساختارهای متخلخل گروه III–V گزارش شده است. به طور ویژه، یافته های جدید زیر شایان توجه است:

-         افزایش شدید  و تند در شدت پرتو افکنی فوتونی (فوتولومیننس) (PL) در نزدیکی لبه باند در پیوند کردن به طور آندی GaP همراه با ظهور پدیده نورافشانی جسمی در معرض قرارگرفتن اشعه ماورای بنفش و آبی همراه است.

-         پاسخ نوری به شدت افزایش یافته در طول دوره ای شکل گیری منافذ در الکترودهای GaP بوسیله ی پیوند کردن آندی در محلول اسید سولفوریک مشاهده شده است.

-         شواهدی برای birefringence  در منافذ InP با طول موج های مناسب برای سیستم های ارتباط نوری یافت شده است.

-         تخلخل ناشی از اصلاح طیف فوتون در GaP ، GaAs و InP  مشاهده شده است.

-         تولید هارمونیک دوم بسیار کارآمد نوری (SHG) در غشای متخلخل شکاف GaP مشاهده شده است.

از این رو، ترکیبات متخلخل نیمه رساناها می تواند مزایای بالقوه ای را برای دستگاه های کاربردی ارائه می کند. علاوه بر امکانات ذاتی و درونی در تغییر ترکیبات شیمیایی، انتقال نیمه رساناها از ابتدایی به ترکیبات مستلزم یک اصلاح کریستالوگرافی بزرگ می باشد. اگرچه به طور کلی اتصالات سه وجهی sp3 بین اتم ها نگه داشته می شود.، شبکه به طور مرکز تقارنی از عنصر ستون IV  نوع الماس (لوزی شکل) به یک شبکه بدون مرکز تقارن از نوع آسفالریت برای مشتق کردن ترکیبات باینری IB–VII, II–VI و III–V تبدیل می شود. این امر راهی را برای خواص فیزیکی جدید خاص به گریز از مرکز این مواد قطبی باز می کند. برای مثال، ما  سطوحی مرتبط با مد و حالات ارتعاشی در طیف سنجی (RS) پرتو رامان خود بخودی از ترکیبات متخلخل گروه III–V را مشاهده می کنیم. پیش بینی شده است این حالات از ویژگی Fr¨ohlich هر زمانی که طول موج تابش تصادمی بیشتر از متوسط اندازه کریستال ها بشود، رخ دهد. در ارتباط با  تمایلات قوی در کوچک سازی بیشتر الکترون های مدرن، واضح است که ویژگی های بسیاری از عناصر در مدارات اپتوالکتریکی (الکتریکی نوری) با تحریک کردن سطح اداره و انجام می شود. بررسی کردن ارتعاشات سطحی برای درک کردن جذب- دفع، انتشار، ثبات نانوساختارها، فیزیک فاز انتقال در ابعاد کاهش یافته ، بسیار مهم می باشد.

شکل 13.4 : داده های گرفته شده از نمونه InP با n2 = 3 × 1017cm−3 آندی شده در چگالی جریان j = 100 mA/cm2 . (a) نوسانات ولتاژ، (b)  تصور SEM و (c) برش مقعطی از تصاویر SEM گرفته شده از نمونه ی InP با n2 = 3 × 1017cm−3  آندی شده تحت شرایط نوسانات ولتاژ دامنه کوچک.

 در آغاز واکنش، (پیوند در مجاورت سطح اولیه) گونه های حل شونده ی بسیار اکسیداسیون شونده ای برای انحلال در دسترس می باشد در حالی که در عمق تعداد گونه های حل شونده اکسیدی بوسیله ی فرایندهای کاهش نفوذ و انتشار فراهم می آیند و در نتیجه سرعت انحلال رو به پایین می رود.

هنگامی که نمونه های n-InP آندی شده با سطوح دوپه و تغلیظ کردن بیشتر، n2 = 3 × 1017 cm−3، نوسانات ولتاژ نیز مشاهده می شود، همان گونه که در شکل 13.4a نشان داده شده است. دامنه نوسانات به طور چشمگیری در طول دوره زمانی آندی کردن متغیر می باشد. نوسانات ولتاژ دامنه بالا (منطقه I در شکل 13.4a) را می توان به یک ترسیم همزمان از قطر منافذ تلفیق نمود.

پس از شکل گیری NL،  آندی کردن بیشتر تحت همان شرایط، به نفع انتشار منافذ عمودی بر سطح اولیه (شکل 16.4a)  ، یعنی در امتداد خطول جریان، می باشد. از یک بزرگنمایی تصویر می توان مشاهده کرد که اکنون در واقع نوسانات قطر وجود ندارد (غایب است) و دیواره های منافذ صاف می باشد (شکل 16.4c) . ما بر این باوریم که تعاملات بین منافذ بوسیله ی منطقه فضای بار و شارژ همان گونه که در بالا توضیح داده شد، و همچنین کیفیت بلوری بالای نمونه های ما، و دقت کنترل کامپیوتری شرایط پیوندی، فاکتورها و عوامل اساسی است که منجر به یکنواختی در توزیع منافذ مشاهده شده می شود. علاوه بر این،  دیدی از بالای SEM گرفته شده از نمونه ها پس از حذف و رفع کردن NL ، توزیع فضایی ای از منافذ نظم یافته را نشان می دهد (شکل 16.4b).

فصل 5

Ordered Porous Nanostructures

and Applications

Microporous

Honeycomb-Structured

Polymer Films

غشای پلیمری ساخته شده به صورت لانه زنبوری با تخلخل میکرو سایز

شکل گیری به کمک آب غشاهای مزوپور منظم در مقالات متعدد 9- 14 توصیف شده است. در این مورد، غشاهای منظم بوسیله ی تراکم بخار آب بر روی لایه محلول پلیمر مایع و توسط تبخیر متعاقب حلال از محلول پلیمر شکل داده می شود. اخیرا، ما یک روش آماده سازی ای را توسعه داده ایم که شکل گیری غشاها را با سلول های شش ضلعی شکل به طور مساوی  همراه با قطری در حدود  را مجاز می کند. در آثار فوق، ما به همراه جزئیات تکنولوژی اینکه چگونه غشاهای مزوپور را از پلیمرهای مختلف بدست آوریم را توصیف کرده ایم. به طور همزمان، برخی تلاش ها برای تفسیر مکانیزم خود سازمانی الگو دهی را بوسیله ی فرآیندهای ترمودینامیکی در حال انجام است که بین قطرات آب بر روی سطح حلال پلیمر مایع اتفاق می افتد. ما پیشنهاد کرده ایم که ثبات قطرات آب بر روی سطح آب برای تشکیل ساختار منظم ضروری می باشد. در ادامه مهمترین پارامترهای ثبات مورد بحث قرار می گیرد که می تواند رشد متراکم قطرات آب را بر روی لایه حلال پلیمری مایع و تعاملات خودشان بین یکدیگر را تحت تاثیر قرار دهد.

4.5 مدلی برای شگل گیری ساختارهای لانه زنبوری شکل در غشاهای پلیمری

هنگامی که ماده مایع در یک رابط مایع – هوا قرار می گیرد، ممکن است بر غشای نازک گسترش یابد. این زمانی اتفاق می افتد که یک مایع با کشش سطحی کم بر روی یک کشش سطحی قرار داده می شود. ما یک گسترش ضریب مثبت برای تمامی محلول های پلیمری در امیل استات و در اکسیلن داریم. ما پیشنهاد کرده ایم که اندازه لایه محلول پلیمر اکسیلن نازک بر روی سطح آب با گذشت زمان کاهش یابد. دومی را به شرح زیر و در ادامه توضیح می دهیم. 

در موردی که بخار آب شروع به تحت تاثیر قرار دادن لایه نیتروسلولوز نه تا 60 ثانیه پس از گسترش آن بر روی سطح آب خنک شده می کند، غشای نازک پلیمری به تدریج در همان ضمن شروع به خشک شدن می کند. به عبارت دیگر، تبخیر امیل استات خارج از لایه پلیمری در طول دوره زمان سپری شده از 60 ثانیه می کند به افزایش غلظت پلیمر درون غشای پلیمری می انجامد. در نتیجه، فاصله بین قطرات مجاور بخار آب که بر روی سطح مایع از لایه پلیمری افزایش می یابد،  را تسریع می کند

تکنیک آماده سازی به صورت تجربی و آزمایشگاهی ای توصیف شده است که می تواند و قادر است ساختار شبکه ای مزوسکوپی پلیمری ای را با اشکال مختلفی از سلول تولید کند: یک قطره از محلول پلیمر اولیه بر روی سطح آب خنک شده پخش می گردد، و بخار آب با غشای نازک پلیمر نتیجه شده واکنش نشان می دهد. بدنبال فرآیندهای خودسازمانی قطرات رسوب کننده از بخار آب بر روی لایه پلیمری، کشیده شدن قطرات بعدی آب، و پس از تبخیر محلول، اصل غشای پلیمری ناهمگن به یک الگوی شبکه شش ضلعی ادامه می یابد. این نشان می دهد که اندازه سلول شش ضلعی پایه با قطر قطرات بخار آب مورد استفاده د طول آماده سازی، تعیین می شود. فرض می شود که ثبات قطرات آب بر روی سطح مایع برای تشکیل ساختار منظم ضروری است.

 

Band Gap Measurement Indium Tin Oxide Transmission Spectroscopy ترجمه باندممنوعه اکسیدقلع ایندیوم

ترجمه مقاله اماده "Band Gap Measurement of Indium Tin Oxide by Transmission Spectroscopy"

پایان نامه کارشناسی

سال و نام دانشگاه

University of Nairobi 2007

قیمت مقطوع 5 هزار تومان

13 صفحه ترجمه فارسی 

لینک دانلود پایان نامه کارشناسی به زبان لاتین که به فارسی برگردانده شده است

Abstract

The band gap is an important property of solid state matter and determines

its use in technology especially for applications in electronics. In this work

transmission spectroscopy as an easy method of band gap measurement for

transparent films is presented and applied to determine the band gap of Indium

Tin Oxide. Three ITO Thin films were produced using RF sputtering under

varying conditions. We have to note that the measurement data obtained

does not provide the information for determination of the band gap. Therefore

we conclude that either the sputtering conditions were inappropriate or the

measurement equipment is unsuitable for ITO band gap determination.

When electromagnetic radiation hits matter several processes can be observed.

Radiation is reflected at the surface, it is absorbed by electrons or the

nucleus and scattering can take place at both nucleus and electrons as scattering

centers. All these processes are strongly dependent on the wavelength of

the radiation. If a suffice number of photons passes the sample an intensity of

radiation behind the sample can be measured.

The occurrence of the described processes is not only a function of the wavelength

but also of the materials properties. The experimental assembly gives

us the possibility to determine the intensity depending on the wavelength. We

graph the results as a function of the wavelength and determine the band gap

by means of the graph. ITO has been widely studied in the past three decades

due to its special properties as a semiconductor. It has a high transmittance

in the visible light range combined with high conductivity. We describe ITO as

Indium Oxide heavily doped with Tin.

Indium Tin Oxide is a semiconductor. Most Optical and electrical properties

of semiconductors can be well explained by the band gap model. As metals,

semiconductors are arranged in periodic structures called crystals. Let us explore

shortly the origin of the band gap starting from the free electron model.

The free electron model assumes a constant potential inside the matter where

the electron can move freely. For many metals this is a good approximation as

the binding energy of the valence electrons is small and so the attractive force

between nucleus and valence electron. What happens if the binding energy increases?

We have to introduce a non translational invariant potential. The first

idea should be a potential that varies periodically with the lattice constant. For

simplicity let us consider a one dimensional lattice with lattice constant a. We

assume point symmetry at the origin, then the potential is then given by

باند ممنوعه یک ویژگی مهم از موضوعات حالت جامد بوده و تعیین نمودن  آن در تکنولوژی و فنآوری بویژه در عملکردها و کاربردهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرد. در این مقاله طیف سنجی انتقال بعنوان یک روش ساده از اندازه گیری باند ممنوعه برای غشاهای شفاف ارائه  و به منظور تعیین باند ممنوعه اکسید قلع ایندیوم به کار برده می شود. سه غشای نازک که با استفاده از انتشار  تحت شرایط مختلف تولید می شود. باید توجه داشته باشیم که داده های اندازه گیری بدست آمده اطلاعاتی برای تعیین کردن و اندازه گیری باند ممنوعه فراهم نمی آورد. بنابراین ما نتیجه می گیریم که یا شرایط انتشار نامناسب بوده است یا تجهیزات اندازه گیری برای تعیین باند ممنوعه نامناسب بوده است.

فصل 1

معرفی

هنگامی که انتشار الکترومغناطیسی موضوع مورد بررسی است فرایند و رویه های متعددی را می توان در نظر گرفت. انتشار در سطح انعکاس داده می شود، این توسط الکترون ها یا هسته مشاهده شده است و پراکندگی می تواند هم در الکترون ها و هم در هسته ها بعنوان مراکز پراکندی رخ دهد. تمامی این فرآیندها به شدت به طول موج انتشار بستگی دارد. اگر تعداد کافی از فوتون ها از نمونه عبور کند شدت تابش از پشت نمونه را می توان اندازه گیری نمود.

چگونه این تاثیر بر رفتار الکترون ها اعمال می شود؟ ما یک پاسخی را با در نظر گرفتن الکترون ها بعنوان امواجی که از کریستال عبور می کنند، یافتیم. بازتاب و انعکاس براگ برای طول موج هایی در منطقه ثابت شبکه ای به وقوع می پیوندد.

شرایط پراکنده سازی در فضای متقابل چنین می دهد:

در غشاهای نازک و برخوردهای عمودی جهات انتقالی به سادگی چنین تعریف می شود:

تجهیزات آزمایشگاهی در جدول 1.3 آورده شده است. شدت پرتو الکترومغناطیسی با استفاده از دیودهای نوری استفاده می شود. هنگامی که نور و روشنایی به دیود می رسد یک جریان نوری اتفاق می افتد. در مقاومت  اختلاف پتانسیل الکتریکی با توجه به قانون اهم ایجاد می شود. این ولتاژ توسط آمپلی فایر قفل شده نمایش داده می شود. در اینجا سه نوع مختلف از دیودها وجود دارد. ما تقریبا می توانیم آنها را براساس محدوده ی حساسیت شان مرتب کنیم که در جدول 2.3 آورده شده است.

جدول 1.3: تجهیزات اندازه گیری