ترجمه مقاله آماده
"Mechanism of catalyst diffusion on magnesium oxide nanowire growth"
مکانیزم انتشار کاتالیزور بر روی رشد نانو سیم های اکسید منیزیم
قیمت مقطوع 2 هزار تومان
مجله و سال انتشار
2007 American Institute of Physics
لینک دانلود مقاله لاتین ترجمه شده
مکانیزم انتشار کاتالیزور بر روی رشد نانو سیم های اکسید منیزیم
در
رشد نانو سیم با استفاده از مکانیزم بخار مایع- جامد 
، کنترل انتشار کاتالیزور یک مسئله کلیدی از
رشد 
دارند که اساسا هیچ عملی بیشتری در غیاب
کاتالیزور بر روی قله ندارد. در اینجا نویسنده کنترل انتشار کاتالیزور بر روی رشد
نانو سیم 
توسط فشار محیط را نشان می دهد و مکانیزم فیزیک اساسی را بحث می کند.
افزایش شدید از رشد نانو سیم اکسید در هنگام افزایش فشار محیط تحت اتمسفر اکسیژن و
حتی به طور عجیبی تحت اتمسفر آرگون شناخته شد. این نشان می دهد که فشار محیط نسبتا
از مقدار اکسیژن محیط ، رشد نانو سیم های اکسید را از طریق سرکوب انتشار کاتالیزور
نشان می دهد.
اخیرا نانوساختارهای تک بعدی
غیرآلی (معدنی) شکل گرفته با استفاده از مکانیزم بخار مایع – جامد ، توجه بسیاری را به خود جلب کرده است. اگرچه 
در رشد شارب 
بیش از 40 سال پیش نمایش داده شده است، یک راه
حل جامع و درک درستی از عوامل کلیدی موثر بر رشد نانو سیم هنوز هم وجود ندارد. در حقیقت تحقیقات بر
مکانیزم ، به شدت اخیرا گزارش شده است، همچنین منافع
بسیاری در و ترکیبات نیمه رسانا آورده شده است.
In nanowire growth using vapor-liquid-solid VLS mechanism, controlling catalyst diffusion has
been a key issue since VLS growth is essentially no longer feasible in the absence of catalyst on the
tip. Here the authors demonstrate the controllability of catalyst diffusion on MgO nanowire growth
by ambient pressure and discuss the underlying physical mechanism. Drastic enhancement of oxide
nanowire growth was found when increasing the ambient pressure under oxygen atmosphere, and
surprisingly even under argon atmosphere. This indicates that the ambient pressure rather than the
amount of ambient oxygen dominates the oxide nanowire growth via suppressing the catalyst
diffusion. © 2007 American Institute of Physics
nanowires
grown onto MgO 100 substrate when varying the
ambient oxygen pressure. The nanowires were grown perpendicular
to the substrate, indicating the 100 oriented epitaxial
growth of the MgO nanowires. Although the size
variation of diameter was relatively small, the significant dependence
of the ambient oxygen pressure on the nanowire
length was clearly observed. Figure 2a shows the effect of
ambient oxygen pressure on the lengths of nanowires grown
for 90 min. Figure 2b shows the variation of the length
distribution data of nanowires grown under oxygen atmosphere
when varying the ambient pressure
